工作电压： 2.0~5.5V

工作温度：-40~105℃

EMS

l  ESD

n  HBM：MIL-STD-883J Class 3A

n  MM：JEDEC EIA/JESD22-A115 Class C

l  EFT

n  EN61000-4-4 Level 4

封装类型：SOP16

内核：

l  全静态8位1T 8051内核CMOS微控制器

l  指令集全兼容MCS-51

l  2级优先级中断配置

Flash ROM：

l  16 Kbytes Flash ROM

n  可通过Code Option设置项将APROM区域可IAP操作的范围设为0K/1K/2K/全部APROM

l  LDROM

n  用于存放用户的BootLoader引导代码（boot code）

n  可通过Code Option设置项将LDROM设为0K/1K/2K/4K

l  EEPROM

n  独立的1K bytes EEPROM

n  10万次写入，常温下100年以上保存寿命

SRAM：

l  256 bytes片内直接存取RAM

l  额外1792 bytes片内间接存取RAM(XRAM)

系统时钟（fSYS）：

l  内建高频32MHz内部振荡器（fHRC）

n  IC工作的系统时钟，可通过编程器选择设定为：32/16/8/2.66MHz @2.0~5.5V

n  全电压范围内(2.0V~5.5V)，-40 ~ 105℃应用环境，频率误差不超过±2%

内建低频32kHz LRC 振荡器：

l  可作为Base Timer及WDT的时钟源，并唤醒STOP

l  频率误差：跨越(4.0~5.5V) 及 (-20 ~ 85℃) 应用环境，经过寄存器修正后频率误差不超过±4%

低电压复位（LVR）：

l  复位电压有4级可选： 4.3V、3.7V、2.9V、1.9V

l  缺省值为用户烧写Code Option所选值

Flash烧写和仿真：

l  2线JTAG烧写和仿真接口

中断（INT）：

l  Timer0~2，INT0~2，ADC，PWM，UART，SSI，BaseTimer，TK/WL共12 个中断源

l  外部中断有3个中断向量，共13个中断口，全部可设上升沿、下降沿、双沿中断

l  两级中断优先级可设

数字外围：

l  GPIO最大14个双向可独立控制的I/O口

n  可独立设定上拉电阻

n  P0、P2口源驱动能力分四级控制

n  全部IO具有大灌电流驱动能力（50mA）

l  内置WDT，可选时钟分频比

l  3个标准80C51定时器Timer0、Timer1和Timer2

n  Timer2可实现捕获（Capture）功能

l  4路10位多功能PWM

n  共用周期，占空比单独可调

n  可同时输出三组互补带死区的PWM波形

l  1个独立UART通信口

l  1个UART/SPI/IIC三选一通讯口SSI

l  集成16 ×16位硬件乘除法器（MDU）

l  Check Sum校验模块

模拟外围：

l  水位检测模块

n  高灵活度开发软件库支持，低开发难度

n  最多支持4档位水位检测功能

l  6路12位±2LSB ADC

n  内建1.024V 、2.4V和2.048V三种基准电压

n  ADC的参考电压有4种选择：VDD、1.024V、2.4V、2.048V

n  内部一路ADC可直接测量VDD电压

n  可设ADC转换完成中断

l  13路高灵敏度TK电路

n  支持低功耗模式

n  可适应隔空按键触控、接近感应等对灵敏度要求较高的触控应用

n  可通过10V动态CS测试

n  可实现13路高灵敏度隔空触控按键及衍生功能

n  高灵活度开发软件库支持，低开发难度

n  自动化调试软件支持，智能化开发

省电模式：

l  IDLE Mode，可由任何中断唤醒

l  STOP Mode，由INT0~2、BaseTimer和TK唤醒